随着汽车、太空、医学与工业等产业开始使用简单芯片，再加电路板或系统单芯片（SoC）为了合乎市场需求而重新加入更加多功能，让芯片热效应已沦为半导体与系统设计时的众多问题。 据SemiconductorEngineering报导，DfRSolutions资深工程师认为，随着芯片与电路板更加小，让冷问题变得更为相当严重。Ansys副总则认为，热会带给一堆无法预见的变化，让业者必需从芯片PCB或系统层次评估热冲击的程度，FinFET制程中必需处置局部短路问题，而且转入10或7纳米后程度更加相当严重。
早在2001年，时任英特尔（Intel）技术宽的PatGelsinger之后曾预测未来10年内，芯片上能源密度提升是必需设法解决问题的问题。在高密度PCB的SoC中，并非所有的废热都能即会。 明导国际（MentorGraphics）行销经理认为，以车载娱乐系统为事例，仪表板不会产生冷且容易骑侍郎出有，之后有可能让绝缘闸极双极性电晶体（IGBT）显得不平稳，因此热管理必需从更加相似矽的角度加以评估。 至于预先评估何处以及何时不会经常出现热问题，之后必需仰赖各种工具、经验与运气达成协议。
而且随着晶粒上温度不平均值，意欲计算出来冷对稳定性导致影响为何也越发艰难，目前所有EDA厂商已牵头企图解决问题该问题。 Synopsys工程师认为，享有近于精确且资讯充裕的模型变得更为最重要，但也带来电子设计自动化（EDA）厂商一定压力。
益华电脑（Cadence）回应，传统上分析工具大多针对PCB温度，但10纳米FinFET后，考量的地方必需从电路板移往至电晶体上。 Sonics技术宽也认为，目前溢电流问题依旧不存在，而且半导体物理也并未转变。外界虽集中于在利用时脉来掌控功耗，但事实上时脉树（clocktree）仍有许多功耗产生。另一项必需面临的挑战则是动态电源管理。
Wingard则指出初衷是提高时脉掌控效率，另外，先进设备PCB或是个别晶粒PCB等也是不切实际方式之一。Tessera总裁认为，其涉及主要问题乃是热力学系统，也就是晶粒的厚度。
因为增加厚度可减少电阻让更好热散出有。该公司已开始研发以有所不同方式填充DRAM，让DRAM一部份可以开口让更加多冷气转入。 另外，Kilopass等公司也在研发可抗热的重复使用可程式（OTP）记忆体，来代替其他种类非溶解记忆体。
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